以氰化物为配位体(络合剂)的碱性镀铜工艺一直是主流的多种镀层的打底镀层和预镀工艺。由于环境保护和操作安全的考虑，氰化物的使用已经受到了严格的限制。因此开发取代氰化物镀铜工艺的工作，一直是电镀界关注的重要课题。

到了今天，还没有开发出可以完全取代氰化物镀铜工艺的新工艺，但是在满足某些条件时，也有一些镀铜工艺可以取代氰化物镀铜，比如焦磷酸盐镀铜、HEDP镀铜、预浸强吸附阻挡型活性物如丙烯基硫脲镀铜等。

后两者的改进型工艺，与其他开发初期的水平有较大的进展，特别是HEDP镀铜工艺，在采用了辅助配位体和开发出新的添加剂后，镀铜层与钢铁基体的结合强度有很大的提高。经采用电化学工作站进行阴极极化曲线和恒定电流电位-时间曲线的测定，应用弯曲折断法进行临界起始电流密度(即保证镀层结合强度的最小初始电流)的测试和镀层结合强度的定量测定，结果表明：辅助配位剂的加入利市了铜析出时的阴极极化，降低了临界起始电流密度，当用1ASD的电流密度进行起始电镀时，可使铁的表面在铜沉积前得到更充分的活化，使镀铜层与铁基体的结合强度提高到6416.38N/cm2，已接近铜上电镀铜的水平。

 

来源: PCB工艺技术 

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